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  适配器作为电子设备的核心组件之一，随着电子设备升级迭代速度加快，电源适配器也在经历着前所未有的快速发展。为了提高充电效率和安全性，电源适配器在高性能

  本文我们将为大家重点介绍TI低功耗GaN（氮化镓）系列新品，以及TI为这些新品器件打造的评估方案。

  电源适配器是小型便携式电子设备及电子电器的供电电源变换设备，其发展趋势受到多方面因素的影响。总结而言，目前电源适配器的主要发展趋势包括便携式、轻薄化、高效能、高集成、高功率密度等。由于GaNIC相较于传统SiMOSFET有着更快的开关速度和更低的开关损耗，因此成为提升电源适配器性能的主要手段之一。

  TI全新推出的低功耗GaN新品便是高度集成的GaN IC，如下图所示，LMG3626是该系列中的其中一款器件，在器件内部集成了功率 FET、栅极驱动器和电流检测功能，这个功能具有高带宽和高精度的电流检测仿真能力。通过高度集成的器件特性，TI低功耗GaN新品能够帮助研发人员降低设计难度，并减少元器件的用量，降低BOM成本。此外，TI低功耗GaN新品还有LMG3622和LMG3624型号，均是高度集成的器件。

  根据TI给出的对比数据，相较于分离式GaN和硅解决方案，TI低功耗GaN新品可以实现解决方案尺寸缩小50%，并联电阻器功率损耗降低94%，对于消费级移动充电器、PC电源和电视电源等应用，可以在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。

  在过去很长一段时间里，由于GaN HEMT和传统Si MOSFET在驱动电路上有明显不同，导致GaN器件在使用上会存在一定的门槛，给方案设计造成一定的困扰。而集成驱动的单芯片解决方案的出现，使GaN器件比硅功率器件更简单易用，此时研发人员可以将更多精力放在方案创新上，而不是花费大量心思探究GaN HEMT和Si MOSFET的不同。

  当然，对于TI低功耗GaN新品而言，这些器件不仅是高度集成的单芯片解决方案，同时其对主流拓扑友好的兼容性也能够帮到研发人员。

  据悉，TI低功耗GaN新品针对AC/DC电源转换中常见的拓扑结构进行了优化，包括ACF、QR反激式、AHB反激式、LLC、图腾柱PFC。其中，借助ACF 和 AHB 拓扑，这些GaN IC能够帮助研发人员更大限度提高效率和功率密度；通过图腾柱 PFC 拓扑，这些GaN IC支持更高功率的设计；在QR、ZVS、LLC 和升压 PFC 拓扑中，这些GaN IC能够实现更低功耗的设计。

  我们展开来看，ACF 和 AHB 拓扑能够完全消除低侧场效应晶体管(FET) 上的电压尖峰，从而在次级侧启用低压同步整流器FET，有助于更大限度提高直流/直流级的效率和功率密度。通过这些描述不难看出，ACF 和 AHB 拓扑需要电路具备电流检测能力，而TI低功耗GaN新品均内部集成了这种电流检测功能，且基本是一种“无损”电流检测。例如，在 65W ACF中，TI低功耗GaN新品集成电流检测的损耗不到10mW，而传统电流检测方案的损耗约为170mW。

  在图腾柱 PFC 拓扑中，TI低功耗GaN新品不仅由于反向恢复损耗为零提升了拓扑的价值，同时提供可调节的压摆率，有助于在系统中找到电磁干扰和效率的合理平衡点；在QR、ZVS、LLC 和升压 PFC 拓扑中，只需要用TI低功耗GaN新品替换单个开关 FET，即可看到效率和开关频率能力的明显提升。

  对于传统拓扑和创新拓扑电路的高度兼容，让研发人员在使用TI低功耗GaN新品时，能够更加自如，综合应用场景、性价比等多方面因素来选择合适的拓扑结构。据介绍，在大于 75W 的AC/DC应用中，借助TI低功耗GaN新品，系统效率可提升至 95% 以上；在小于 75W 的AC/DC应用中，借助TI低功耗GaN新品，系统效率可提升至 94%。

  通过上述内容能够看出，凭借单芯片集成驱动的设计，TI低功耗GaN新品能够显著降低GaN器件的使用门槛，并简化设计，降低BOM成本；通过对传统和创新拓扑的兼容，研发人员可以借助TI低功耗GaN新品灵活地实现自己的方案设计；此外，TI低功耗GaN新品也能够帮助研发人员改善方案散热设计。