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  能华半导体推出了一系列氮化镓适配器方案，包括PD快充，电源适配器和LED电源适配器。今天带来的是一款200W长条形LED电源适配器方案，这款方案支持176-264Vac输入，输出电压为48V，额定输出功率为200W。

  这款200W长条形LED适配器为长条形外观，无散热片设计，降低装配成本。采用能华CE65H160DNGI氮化镓开关管搭配两颗CE65E160DNYI氮化镓开关管，采用PFC+LLC高效谐振架构，转换效率高达95.6%。下面充电头网就带来能华这款LED适配器方案的解析，一起看看这款方案的用料和设计。

  能华200W LED适配器方案为长条形设计，十分契合传统LED灯主体造型，基本上客户无需在对DEMO进行改动，即连即用十分方便。

  PCB板正面设有电感、电容等器件，背面则焊接芯片等器件，最大程度降低了DEMO的厚度，如此装进各类LED灯体都会变得很轻松。

  适配器内部初级PWM主控芯片采用NXP恩智浦TEA2016AAT，一颗芯片内置LLC控制器和PFC控制器，内置数字架构控制，简化了设计的同时减少外围元件数量，芯片内置多重完善的保护功能，集成度非常高。

  PFC开关管来自能华半导体，型号CE65H160DNGI，这颗Cascode型CoreGaN器件采用能华耗尽型工艺技术，耐压650V，瞬态耐压800V，导通内阻160mΩ。器件具有极低的门极电荷，使得器件的开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效。

  CE65H160DNGI的栅极驱动电压范围±20V，大大提高了系统可靠性，兼容传统硅MOS驱动器，简化电路设计，采用DFN8*8封装。

  用于LLC半桥的两颗氮化镓开关管来自能华半导体，型号CE65H160DNCI，这颗Cascode型CoreGaN器件采用能华耗尽型工艺技术，耐压650V，瞬态耐压800V，导通内阻160mΩ。器件具有极低的门极电荷，使得器件的开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效。

  CE65H160DNCI的栅极驱动电压范围±20V，大大提高了系统可靠性，兼容传统硅MOS驱动器，简化电路设计，采用DFN5*6封装。

  同步整流控制器来自恩智浦，型号TEA2096，支持4.5-38V供电电压，具备自适应栅极驱动，支持LLC谐振同步整流，并具备欠压锁定，支持1MHz开关频率。

  两颗同步整流管来自力宏微，型号LH085N150，NMOS，耐压150V，导阻8.5mΩ，采用DFN5*6封装。

  充电头网通过解析发现，能华半导体200W长条形LED电源适配器方案采用细长型设计，内部采用氮化镓器件，提高转换效率，其峰值效率达95.6%，实现了无散热片的LED电源设计，降低整体成本。

  电源适配器采用PFC+LLC+SR高效架构，使用恩智浦TEA2016控制器搭配TEA2096同步整流控制器，PFC开关管采用CE65H160DNGI，LLC开关管采用CE65H160DNCI，有效降低开关损耗，提升转换效率。

  能华半导体是一家专业设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。能华半导体是全球少数同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术和耗尽型GaN直驱方案的半导体公司。目前产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。