欧普

  的美观度和其生产成本的高低，同时还能体现出电路性能和散热性能的好坏，以及是否可以让器件的性能达到最优等。

  3、布线避免直角或者锐角布线，导致转角位置线宽变化，阻抗变化，造成信号反射，如下图所示。

  4、布线应从焊盘的长方向出线，避免从宽方向或者焊盘四角出线，布线mil以上为宜，如下图所示。

  5、如下图所示，相邻焊盘是同网络的，不能直接相连，需要先连接出焊盘之后再进行连接，直接连接容易在手工焊接时连锡。

  6、对于小CHIP器件，要注意布线端布线线宽一致，如一个管脚铺铜，另一管脚也尽量铺铜处理，减少元件贴片后器件漂移旋转，如下图所示。

  7、对于有包地要求的信号，须保证包地的完整性，尽量保证在包地线上进行打GND孔处理，两个GND孔间距不能过远，尽量保持在50-150mil左右，如下图所示。

  8、走线应有完整且连续的参考层平面，避免高速信号跨区，建议高速信号距离参考平面的边沿至少有 40mil，如下图所示。

  9、由于表贴器件焊盘会导致阻抗降低，为减小阻抗突变的影响，建议在表贴焊盘的正下方按焊盘大小挖去一层参考层。常用的表贴器件有：电容ESD、共模抑制电感、连接器等等，如下图所示。

  10、如下图所示，信号线与其回路构成的环路面积要尽可能小，环路面积小，对外辐射小，接收外界的干扰也小。

  11、如下图（上）所示，布线不允许出现STUB，布线尽量减小残桩长度，建议残桩长度为零。并且避免过孔残桩效应，尤其是残桩长度超过 12mil 时，建议通过仿真来评估过孔残桩对信号完整性的影响，如下图（下）所示。

  12、尽量避免走线在不同层形成自环。在多层板设计中容易出现此类问题，自环将引起辐射干扰。如下图所示。

  14、对于会产生干扰或者敏感的信号（如射频信号），须规划屏蔽罩，屏蔽罩宽度常规为40mil（一般保持30mil以上，可与客户生产厂家确认），屏蔽罩上尽量多打GND过孔，增加其焊接效果。

  15、同一网络的布线宽度应保持一致，线宽的变化会造成线路特性阻抗的不均匀，当传输的速度较高时会产生反射。在某些条件下，如接插件引出线，BGA封装的引出线类似的结构时，因间距过小可能无法避免线宽的变化，应该尽量减少中间不一致部分的有效长度，如下图所示。

  16、IC管脚出线的线宽要小于或者等于焊盘宽度，出线宽度不能比焊盘宽度大，部分信号因载流等要求，线宽较宽的，布线可先保持与管脚宽度一致，布线mil左右再把线宽加粗处理，如下图所示。

  19、设计中包含多片DDR或者其他存储器芯片的，须向客户确认布线拓扑结构，确认是否有参考文档。

  20、金手指区域需要开整窗处理，多层板设计时，金手指下方所有层的铜应作挖空处理，挖空铜皮的距离板框一般3mm以上。

  21、布线应提前规划好瓶颈位置的通道情况，合理规划好通道最窄处的布线、耦合

  23、串接电阻应靠近发送端器件放置，端接电阻靠近末端放置，如eMMC时钟信号上的串接电阻，推荐

  CPU侧（400mil以内）。24、建议在IC（如eMMC 颗粒、FLASH颗粒等）的地焊盘各打1个地通孔，有效缩短回流路径， 如下图所示。

  25、建议ESD器件的每个地焊盘都打一个地通孔，且通孔要尽量靠近焊盘，如下图所示。