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刘韩的个人主页

时间：2023-01-20  |   来源:欧普
 

集成电路设计发展到超深亚微米，其特征尺寸越来越小，并趋近于曝光系统的理论极限，光刻后硅片表面的成像将产生严重的畸变，即产生光学邻近效应（Optical Proximity Effect）。随着光刻技术面临更高要求和挑战，人们提出了浸没式光刻...
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